IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA

IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA (W949D2DBJX5E TR)

Part Number: W949D2DBJX5E TR

Documents / Media: datasheets W949D2DBJX5E TR

Технические характеристики:

  • Упаковка: Cut Tape (CT) Alternate Packaging
  • Серия: -
  • Состояние детали: Active
  • Тип памяти: Volatile
  • Тип памяти: DRAM
  • Технология: SDRAM - Mobile LPDDR
  • Объем памяти: 512Mb (16M x 32)
  • Скорость: 200MHz
  • Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
  • Время доступа: 5ns
  • Memory Interface: Parallel
  • Напряжение питания: 1.7 V ~ 1.95 V
  • Рабочая температура: -25°C ~ 85°C (TC)
  • Вид монтажа: Surface Mount
  • Корпус: 90-TFBGA
  • Исполнение корпуса: 90-VFBGA (8x13)

Цена по запросу